| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 额定电压(DC) | -20.0 V |
| 额定电流 | -4.00 A |
| 封装 | SSOT |
| 漏源极电阻 | 65.0 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 1.60 W |
| 输入电容 | 640 pF |
| 栅电荷 | 7.20 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 20.0 V |
| 栅源击穿电压 | -8.00 V to 8.00 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 4.00 A |
| 上升时间 | 19.0 ns |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| -4A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.054Ω @-4A,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.4--1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.6W Description & Applications| • Rugged gate rating (±12V). • High performance trench technology for extremely low RDS(ON) • SuperSOT TM-6 package: small footprint (72% smaller than standard SO-8); low profile (1mm thick). 描述与应用| •坚固的门评级（±12V）。 •高性能沟道技术极低的RDS（ON） •的SuperSOT TM-6包装：占地面积小（小72％ 比标准的SO-8）;低调（1mm厚）
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P沟道2.5V指定的PowerTrench ？ MOSFET P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩MOSFET
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6420C 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3 A, 20 V, 70 mohm, 4.5 V, 900 mV
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P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题，具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。
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PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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20V N" P沟道PowerTrench MOSFET的 20V N & P-Channel PowerTrench MOSFETs
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