| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 额定电压(DC) | -20.0 V |
| 额定电流 | -4.50 A |
| 封装 | SSOT |
| 漏源极电阻 | 53.0 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 1.60 W |
| 输入电容 | 890 pF |
| 栅电荷 | 9.00 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 20.0 V |
| 栅源击穿电压 | -12.0 V to 12.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 4.50 mA |
| 上升时间 | 9.00 ns |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流IdDrain Current| -4.5A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.037Ω @-4.5A,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.6--1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.6W Description & Applications| • Rugged gate rating (±12V). • High performance trench technology for extremely low RDS(ON) • SuperSOT TM-6 package: small footprint (72% smaller than standard SO-8); low profile (1mm thick). 描述与应用| •坚固的门评级（±12V）。 •高性能沟道技术极低的RDS（ON） •的SuperSOT TM-6包装：占地面积小（小72％ 比标准的SO-8）;低调（1mm厚）
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6401N 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3 A, 20 V, 70 mohm, 4.5 V, 900 mV
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC640P 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.5 A, -20 V, 0.039 ohm, -4.5 V, -1 V
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