FDC602P 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:	Fairchild（飞兆/仙童）
分类:	MOS管
封装:	SSOT
描述:	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC602P 晶体管, MOSFET, P沟道, 5.5 A, -20 V, 35 mohm, -4.5 V, -900 mV
PDF文件:	FDC602P 数据手册
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

FDC602P 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	6 Pin
额定电压(DC)	-20.0 V
额定电流	-5.50 A
封装	SSOT
漏源极电阻	35.0 mΩ
极性	P-Channel
功耗	1.60 W
输入电容	1.46 nF
栅电荷	14.0 nC
漏源极电压(Vds)	-20.0 V
漏源击穿电压	-20.0 V
栅源击穿电压	-12.0 V to 12.0 V
连续漏极电流(Ids)	-5.50 A
上升时间	11.0 ns

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FDC602P 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Cut Tape (CT)

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FDC602P 符合标准

FDC602P 概述

FDC602P 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

0.13 MByte

FDC602P 其他数据使用手册

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8 页 / 0.09 MByte

FDC602P 产品设计图

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1 页 / 0.04 MByte

FDC602P 开发手册

Fairchild（飞兆/仙童）

6 页 / 1.89 MByte

FDC602P 产品描述及参数

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5 页 / 0.06 MByte

FDC602P 产品手册

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6 页 / 0.21 MByte

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P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

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PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

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