| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 75.0 V |
| 额定电流 | 19.0 A |
| 封装 | TO-263 |
| 漏源极电阻 | 3.90 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 310 W |
| 输入电容 | 6.60 nF |
| 栅电荷 | 92.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 75.0 V |
| 漏源击穿电压 | 75.0 V |
| 栅源击穿电压 | -20.0 V to 20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 80.0 A |
| 上升时间 | 88.0 ns |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
Fairchild（飞兆/仙童）
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N沟道UltraFET沟槽MOSFET 75V ， 80A ， 4.5mз N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 80A, 4.5mз
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB045AN08A0 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 75 V, 4.5 mohm, 10 V, 4 V
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PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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