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FDB024N06
来自 AiPCBA

FDB024N06 技术参数、封装参数

FDB024N06 外形尺寸、物理参数、其它

FDB024N06 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.54 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
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FDB024 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB024N06  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 60 V, 0.0018 ohm, 10 V, 3.5 V
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB024N04AL7  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.002 ohm, 10 V, 1 V
Fairchild(飞兆/仙童)
MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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