Datasheet 搜索 > MOS管 > Fairchild（飞兆/仙童） > FDA59N30 Datasheet 文档
FDA59N30
来自 AiPCBA

FDA59N30 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:TO-3P
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDA59N30  晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 300 V, 0.047 ohm, 10 V, 5 V
PDF文件:FDA59N30 数据手册 (8 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

FDA59N30 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-3P
漏源极电阻56.0 mΩ
极性N-Channel
功耗500 W
漏源极电压(Vds)300V
漏源击穿电压300 V
连续漏极电流(Ids)59.0 A
查看数据手册 >

FDA59N30 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
查看数据手册 >

FDA59N30 数据手册

FDA59N30 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
8 页 / 1.8 MByte
FDA59N30 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
2 页 / 0.55 MByte
FDA59N30 产品设计图
Fairchild（飞兆/仙童）
4 页 / 0.62 MByte
FDA59N30 开发手册
Fairchild（飞兆/仙童）
6 页 / 1.89 MByte

FDA59 数据手册

FDA59N30 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDA59N30  晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 300 V, 0.047 ohm, 10 V, 5 V
FDA59N25 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDA59N25  晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 250 V, 49 mohm, 10 V, 5 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet