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FDA59N25
来自 AiPCBA

FDA59N25 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:TO3P
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDA59N25  晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 250 V, 49 mohm, 10 V, 5 V
PDF文件:FDA59N25 数据手册
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

FDA59N25 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO3P
漏源极电阻49.0 mΩ
极性N-Channel
功耗392 W
漏源极电压(Vds)250V
漏源击穿电压250 V
栅源击穿电压-30.0 V to 30.0 V
连续漏极电流(Ids)59.0 A
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FDA59N25 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
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FDA59N25 数据手册

FDA59N25 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
0.49 MByte
FDA59N25 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
13 页 / 0.57 MByte
FDA59N25 产品设计图
Fairchild（飞兆/仙童）
4 页 / 0.62 MByte

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