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FDA18N50
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FDA18N50 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:TO-3PN
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDA18N50  晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 500 V, 0.22 ohm, 10 V, 5 V
PDF文件:FDA18N50 数据手册 (8 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

FDA18N50 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-3PN
漏源极电阻265 mΩ
极性N-Channel
功耗239 W
输入电容2.86 nF
栅电荷60.0 nC
漏源极电压(Vds)500V
漏源击穿电压500 V
栅源击穿电压-30.0 V to 30.0 V
连续漏极电流(Ids)19.0 A
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FDA18N50 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
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FDA18N50 数据手册

FDA18N50 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
8 页 / 1.62 MByte
FDA18N50 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
13 页 / 0.57 MByte
FDA18N50 产品设计图
Fairchild（飞兆/仙童）
4 页 / 0.62 MByte
FDA18N50 其他参考文件
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.14 MByte

FDA18 数据手册

FDA18N50 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDA18N50  晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 500 V, 0.22 ohm, 10 V, 5 V
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