集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| 100mA/0.1A 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 4.7KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 4.7KΩ/Ohm 电阻比(R1/R2) Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 20 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 250MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.15W/150mW Description & Applications| Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors 2) The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow negative biasing of the input. They also have the advantage of almost completely eliminating parasitic effects. 3) Only the on/off conditions need to be set for operation, making device design easy 描述与应用| 特性 1）内置启用偏置电阻器的配置， 逆变电路无需连接外部输入电阻 2）偏置电阻组成的薄膜电阻完全隔离，允许负偏置输入。他们也有优势，几乎完全消除了寄生效应。 3）只有开/关条件需要设置操作，使装置的设计容易
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
DTC143TUA 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 4.7k SOT-323/SC-70/UMT3 marking/标记 3
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
NPN 100毫安50V数字晶体管（偏置电阻内置晶体管） NPN 100mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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DTC143TM 系列 50 V 100 mA 表面贴装 PNP 数字晶体管 - SC-105AA
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM DTC143ZMT2L 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率, SOT-723
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM DTC143EKAT146 单晶体管 双极, 数字式, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 30 hFE
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR DTC143ZET1G Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 (Ratio), SOT-416 新
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
DTC143ZE TL 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 4.7k 47k sot-523/EMT3 marking/标记 E23
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR DTC143EET1G 晶体管 双极预偏置/数字, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率, SC-75 新
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