| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | 8-PowerLDFN |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 30V |
| 连续漏极电流(Ids) | 25A |
CSD87335Q3D NexFET电源块是面向同步降压 应用 的优化设计方案，能够以 3.3mm × 3.3mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化，可提供一套灵活的解决方案，在与来自外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动配套使用时，均可提供高密度电源。
● 半桥电源块
● VIN 高达 27V
● 15A 电流时系统效率达 93.5%
● 工作电流高达 25A
● 高频工作（高达 1.5MHz）
● 高密度 3.3mm × 3.3mm 小外形尺寸无引线 (SON) 封装
● 针对 5V 栅极驱动进行了优化
● 低开关损耗
● 超低电感封装
● 符合 RoHS 标准
● 无卤素
● 无铅引脚镀层
●## 应用范围
● 同步降压转换器
● 高频 应用
● 高电流、低占空比 应用
● 多相位同步降压转换器
● 负载点 (POL) 直流 - 直流转换器
● IMVP、VRM 和 VRD 应用
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TI（德州仪器）
CSD87335Q3D 同步降压 NexFET™ 电源块
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS CSD87335Q3DT 单晶体管 双极, 双N沟道, 30 V, 6.7 ohm, 4.5 V, 750 mV 新
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