| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | 6-WDFN Exposed Pad |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 20V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5A |
CSD85301Q2 是一款 20V、23mΩ N 通道器件，它具有两个独立的 MOSFET，并且采用 SON 2mm x 2mm 塑料封装。 这两个场效应管 (FET) 采用半桥配置，适用于同步降压等电源应用。 此外，该部件还可用于适配器、USB 输入保护和电池充电应用。 两个 FET 的漏源导通电阻均较低，可最大程度降低损耗并减少元件数，非常适合空间受限型应用。
● 低导通电阻
● 两个独立的 MOSFET
● 节省空间的小外形尺寸无引线 (SON) 2mm × 2mm 塑料封装
● 针对 5V 栅极驱动器而优化
● 雪崩级
● 无铅且无卤素
● 符合 RoHS 环保标准
●## 应用范围
● 用于网络互联，电信和计算系统的负载点同步降压转换器
● 针对笔记本个人电脑 (PC) 和平板电脑的适配器或 USB 输入保护
● 电池保护
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TI（德州仪器）
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TI（德州仪器）
CSD85301Q2，双路 N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS CSD85301Q2T 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 900 mV
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