| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | 3-XFDFN |
| 极性 | P-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 20V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.6A |
这款 210mΩ，20V P 通道 FemtoFET MOSFET 被设计且被优化，以最大限度地减少多种手持式和移动类应用中的封装尺寸。 这个技术能够在将封装尺寸至少减少 60% 的同时，替代标准的小信号 MOSFET。
● 超低导通电阻
● 超低 Qg 和 Qgd
● 高运行漏极电流
● 超小封装尺寸（0402 外壳尺寸）
● 1.0mm × 0.6mm
● 超薄
● 最大高度 0.35mm
● 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管
● 额定值 > 4kV 人体模型 (HBM)
● 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)
● 无铅且无卤素
● 符合 RoHS 环保标准
●## 应用范围
● 针对负载开关应用进行了优化
● 针对通用开关应用进行了优化
● 电池类应用
● 手持式和移动类应用
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TI（德州仪器）
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TI（德州仪器）
20V P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，CSD25483F4
TI（德州仪器）
P 通道 FemtoFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments### MOSFET 晶体管，Texas Instruments
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