类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
封装 | DSBGA |
极性 | P-CH |
漏源极电压(Vds) | 20V |
连续漏极电流(Ids) | 4A |
这款 21mΩ,20V 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.5mm × 1.5mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。 低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起,使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。
● 低电阻
● 小尺寸封装 1.5mm x 1.5mm
● 栅极静电放电 (ESD) 保护 - 3kV
● 无铅
● 符合 RoHS 环保标准
● 无卤素
● 栅 - 源电压钳位
●## 应用范围
● 电池管理
● 电池保护
●All trademarks are the property of their respective owners.
TI(德州仪器)
CSD25202W15 20V P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS CSD25202W15T 晶体管, MOSFET, P沟道, -4 A, -20 V, 0.021 ohm, -4.5 V, -750 mV
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件