| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | PICOSTAR |
| 极性 | P-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 12V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.8A |
这款 –12V、97mΩ、P 沟道 FemtoFETMOSFET 经过了设计和优化，能够最大限度减小许多手持式和移动类应用的 尺寸。这项技术能够在替代标准小信号金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的同时大幅减小封装尺寸。
● 低导通电阻
● 超低 Qg 和 Qgd
● 高运行漏极电流
● 超小尺寸
● 0.73mm x 0.64mm
● 超薄
● 最大高度为 0.35mm
● 集成静电放电 (ESD) 保护二极管
● 额定值 > 4kV 人体放电模式 (HBM)
● 额定值 > 2kV 组件充电模式 (CDM)
● 无铅且无卤素
● 符合 RoHS 环保标准
●## 应用范围
● 针对负载开关应用进行了 优化
● 针对通用开关应用进行了 优化
● 电池 应用
● 手持式和移动类 应用
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TI（德州仪器）
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TI（德州仪器）
CSD23280F3 12V P 沟道 FemtoFET™ MOSFET
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS CSD23280F3T 晶体管, MOSFET, P沟道, -1.8 A, -12 V, 0.097 ohm, -4.5 V, -650 mV 新
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