| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | DSBGA |
| 极性 | P-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 8V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3A |
这款 16.2mΩ，8V P 通道器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.0mm × 1.5mm 小外形尺寸封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。
● 超低 Qg 和 Qgd
● 低导通电阻 RDS(on)
● 小封装尺寸
● 低高度（高度为 0.62mm）
● 无铅
● 符合 RoHS 环保标准
● 无卤素
● 芯片级封装 (CSP) 1 x 1.5mm 晶圆级封装
●## 应用范围
● 电池管理
● 负载开关
● 电池保护
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TI（德州仪器）
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CSD23203W8 V P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
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TEXAS INSTRUMENTS CSD23203WT 晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -8 V, 0.0162 ohm, -4.5 V, -800 mV
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