类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
封装 | TO-263 |
极性 | N-CH |
漏源极电压(Vds) | 100V |
连续漏极电流(Ids) | 200A |
这款 100V、2.8mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低损耗。
● 超低 Qg 和 Qgd
● 低热阻
● 雪崩级
● 无铅引脚镀层
● 符合 RoHS 环保标准
● 无卤素
● D2PAK 塑料封装
●## 应用
● 热插拔
● 电机控制
● 二次侧同步整流器
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TI(德州仪器)
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100V、N 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET,CSD19535KCS
TI(德州仪器)
CSD19535KTT 100V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
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N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments### MOSFET 晶体管,Texas Instruments
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