类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | VSON-FET-8 |
极性 | N-Channel |
漏源极电压(Vds) | 100V |
连续漏极电流(Ids) | 100A |
这款 100V,7.8mΩ,SON 5mm × 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
●顶视图 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA= 40°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值
●。最大 RθJC = 1.3°C/W,持续时间 ≤100μs,占空比 ≤1%
● 超低 Qg 和 Qgd
● 低热阻
● 雪崩额定值
● 无铅端子镀层
● 符合 RoHS 环保标准
● 无卤素
● 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
●## 应用范围
● 初级侧电信应用
● 次级侧同步整流器
● 电机控制
TI(德州仪器)
16 页 / 1.28 MByte
TI(德州仪器)
100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD19533Q5A
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件