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CSD19531Q5AT
来自 AiPCBA

CSD19531Q5AT 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:TI（德州仪器）
分类:MOS管
封装:VSON
描述:TEXAS INSTRUMENTS  CSD19531Q5AT  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0053 ohm, 10 V, 2.7 V
PDF文件:CSD19531Q5AT 数据手册 (16 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

CSD19531Q5AT 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装VSON
极性N-Channel
漏源极电压(Vds)100V
连续漏极电流(Ids)100A
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CSD19531Q5AT 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
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CSD19531Q5AT 数据手册

CSD19531Q5AT 数据手册
TI（德州仪器）
16 页 / 1.25 MByte
CSD19531Q5AT 产品设计参考手册
TI（德州仪器）
7 页 / 1.75 MByte

CSD19531Q5 数据手册

CSD19531Q5A 数据手册
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS  CSD19531Q5A  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0053 ohm, 10 V, 2.7 V
CSD19531Q5AT 数据手册
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS  CSD19531Q5AT  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0053 ohm, 10 V, 2.7 V
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