| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220 |
| 极性 | N-Channel |
| 漏源极电压(Vds) | 100V |
| 连续漏极电流(Ids) | 100A |
这款 100V，6.4mΩ，TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
●要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 最大 RθJC = 0.7ºC/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%
● 超低 Qg 和 Qgd
● 低热阻
● 雪崩级
● 无铅端子镀层
● 符合 RoHS 标准
● 无卤素
● 晶体管 (TO)-220 塑料封装
●## 应用范围
● 次级侧同步整流器
● 热插拔电信应用
● 电机控制
TI（德州仪器）
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TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS CSD19531KCS. 场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 100A, TO-220-3
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS CSD19531Q5A 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0053 ohm, 10 V, 2.7 V
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS CSD19531Q5AT 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0053 ohm, 10 V, 2.7 V
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