| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | VSON-Clip-8 |
| 极性 | N-Channel |
| 漏源极电压(Vds) | 80V |
| 连续漏极电流(Ids) | 100A |
这款 3.4mΩ，80V，SON 5mm x 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
●顶视图
●要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 40°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值。最大 RθJC = 0.8°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100µs，占空比 ≤ 1%
● 超低 Qg 和 Qgd
● 低热阻
● 雪崩额定值
● 逻辑电平
● 无铅端子镀层
● 符合 RoHS 环保标准
● 无卤素
● 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
●## 应用范围
● 次级侧同步整流器
● 电机控制
TI（德州仪器）
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TI（德州仪器）
N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD19502Q5B
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS CSD19502Q5BT 晶体管, MOSFET, N沟道, 157 A, 80 V, 0.0034 ohm, 10 V, 2.7 V 新
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