| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | TO-220-3 |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 60V |
| 连续漏极电流(Ids) | 200A |
这款 60V，3.3mΩ，TO-220 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
● 超低 Qg 和 Qgd
● 低热阻
● 雪崩额定值
● 逻辑电平
● 无铅引脚镀层
● 符合 RoHS 标准
● 无卤素
● 晶体管 (TO)-220 塑料封装
●## 应用范围
● 直流 - 直流转换
● 次级侧同步整流器
● 电机控制
●All trademarks are the property of their respective owners.
TI（德州仪器）
11 页 / 0.45 MByte
TI（德州仪器）
CSD18542KCS 60V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS CSD18542KTTT 晶体管, MOSFET, NexFET™, N沟道, 170 A, 60 V, 0.0033 ohm, 10 V, 1.8 V 新
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
