| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | PICOSTAR |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 30V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5.9A |
这种 30V、22mΩ、N 沟道 FemtoFETMOSFET 技术经过了设计和优化，能够以最大限度减小许多手持式和移动类应用中的 封装尺寸。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。
●RθJA = 245°C/W（覆铜面积最小时的典型值）。RθJA = 90°C/W（覆铜面积最大时的典型值）。脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。
● 低导通电阻
● 超低 Qg 和 Qgd
● 超小尺寸
● 1.53mm x 0.77mm
● 薄型
● 高度为 0.35mm
● 集成静电放电 (ESD) 保护二极管
● 额定值 > 4kV 人体模型 (HBM)
● 额定值 > 2kV 组件充电模式 (CDM)
● 无铅且无卤素
● 符合 RoHS 环保标准
●## 应用范围
● 针对负载开关应用进行了 优化
● 针对通用开关应用进行了 优化
●All trademarks are the property of their respective owners.
TI（德州仪器）
11 页 / 0.34 MByte
TI（德州仪器）
CSD17585F5 30V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
