| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | VSONP |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 30V |
| 连续漏极电流(Ids) | 20A |
这款 30V，6.3mΩ，SON 3.3mm × 3.3mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
●顶视图
●要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 50°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的铜焊盘上测得的典型值
●。 最大 RθJC = 4.2°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%
● 低 Qg 和 Qgd
● 低 RDS(on)
● 低热阻
● 雪崩额定值
● 无铅
● 符合 RoHS 环保标准
● 无卤素
● 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
●## 应用
● 用于网络互联，电信和计算系统的负载点同步降压转换器
● 针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了优化
TI（德州仪器）
13 页 / 0.46 MByte
TI（德州仪器）
N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments### MOSFET 晶体管，Texas Instruments
TI（德州仪器）
CSD17578Q3A 30 V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
