| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | VSON-CLIP |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 30V |
| 连续漏极电流(Ids) | 100A |
这款 1.7mΩ，30V，SON 5mm x 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
●顶视图 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 40°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值。最大 RθJC = 1.3°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%
● 低 Qg 和 Qgd
● 低 RDS(on)
● 低热阻
● 雪崩级
● 无铅端子镀层
● 符合 RoHS 标准
● 无卤素
● 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
●## 应用范围
● 用于网络互联，电信和计算系统的负载点同步降压转换器
● 已针对同步场效应晶体管 (FET) 应用进行优化
TI（德州仪器）
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TI（德州仪器）
CSD17576Q5B，30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
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N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments### MOSFET 晶体管，Texas Instruments
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