CSD17484F4 数据手册 - TI（德州仪器）

这款 99mΩ，30V N 通道 FemtoFET MOSFET 被设计且被优化，以最大限度地减少多种手持式和移动类应用中的封装尺寸。 这个技术能够在将封装尺寸至少减少 60% 的同时，替代标准的小信号 MOSFET。

●典型部件尺寸

●要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 85°C/W，这是在厚度为 0.06 英寸 (1.52 mm) 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2 (6.45 cm2)，2 盎司（厚度为 0.071 mm）的铜过渡垫片上测得的典型值

●。脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1% 顶视图

● 低导通电阻

● 超低 Qg 和 Qgd

● 低阈值电压

● 超小型封装尺寸（0402 外壳尺寸）

● 1.0mm × 0.6mm

● 超薄

● 高度 0.2mm

● 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管

● 额定值 > 4kV 人体放电模式 (HBM)

● 额定值 > 2kV 组件充电模式 (CDM)

● 无铅且无卤素

● 符合 RoHS 环保标准

●## 应用范围

● 针对负载开关应用进行了优化

● 针对通用开关应用进行了优化

● 电池类应用

● 手持式和移动类应用

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