| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | PICOSTAR |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 30V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.3A |
这种 30V、54mΩ、N 沟道 FemtoFETMOSFET 技术经过了设计和优化，能够以最大限度减小许多手持式和移动类应用中的 封装尺寸。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小 60% 以上。
● 低导通电阻
● 低 Qg和 Qgd
● 低阈值电压
● 超小型封装尺寸（0402 外壳尺寸）
● 1.0mm × 0.6mm
● 超薄
● 高度为 0.35mm
● 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管
● 额定值 > 3kV 人体模型 (HBM)
● 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)
● 无铅且无卤素
● 符合 RoHS 环保标准
●## 应用范围
● 针对负载开关应用进行了 优化
● 针对通用开关应用进行了 优化
● 单节电池 应用
● 手持式和移动类 应用
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TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS CSD17382F4T 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.3 A, 30 V, 0.054 ohm, 8 V, 900 mV 新
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