| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SON-8 |
这款 25V，0.49mΩ，SON 5mm × 6mm NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的设计目的是最大限度地减少 ORing 和热插拔应用的电阻，并不是专用于开关应用。
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●要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA= 40°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸的环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的铜焊盘上测得的典型值
●。最大 RθJC = 0.8°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%
● 极低电阻
● 低 Qg 和 Qgd
● 低热阻
● 雪崩级
● 无铅端子镀层
● 符合 RoHS 标准
● 无卤素
● 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
●## 应用范围
● ORing 和热插拔应用
TI（德州仪器）
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TI（德州仪器）
CSD16570Q5B，25V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS CSD16570Q5BT 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 25 V, 0.00049 ohm, 10 V, 1.5 V
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