类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
封装 | WLP-6 |
极性 | N-CH |
漏源极电压(Vds) | 12V |
连续漏极电流(Ids) | 3.5A |
这款 8.8mΩ、12V N 通道器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.5 mm × 1mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。
● 超低导通电阻
● 低 Qg 和 Qgd
● 1mm x 1.5mm 小尺寸封装
● 低高度(高度为 0.62mm)
● 无铅
● 符合 RoHS 环保标准
● 无卤素
●## 应用范围
● 电池管理
● 负载开关
● 电池保护
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CSD13306W 12V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
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N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments### MOSFET 晶体管,Texas Instruments
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