| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 封装 | WSON-FET-6 |
| 极性 | N-Channel |
| 漏源极电压(Vds) | 12V |
| 连续漏极电流(Ids) | 22A |
这个 12V，7.5mΩ NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换和负载管理应用中大大降低功率损耗。 SON 2mm x 2mm 封装提供针对封装尺寸的出色散热性能。
●顶视图 RθJA=45°C/W，这是在 1 平方英寸纯铜 (Cu)（2 盎司）且厚度为 .060" 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上测得的值。脉冲持续时间 10μs，占空比 ≤ 2%
● 超低 Qg和 Qgd
● 低热阻
● 雪崩级
● 无铅端子镀层
● 符合 RoHS 标准
● 无卤素
● 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm × 2mm 塑料封装
●## 应用范围
● 针对负载开关应用进行了优化
● 存储、平板电脑和手持类器件
● 针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了优化
● 负载点同步降压转换器
TI（德州仪器）
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TI（德州仪器）
N 通道功率 MOSFET、CSD13202Q2、12V Vd、9.3mΩ 导通电阻 (Rdson)/4.5V（最大值）
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