| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 3.60 V |
| 电容 | 450 pF |
| 封装 | SOT-23 |
| 额定功率 | 350 mW |
| 击穿电压 | 3.60 V |
| 功耗 | 350 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
额定齐纳电压Vz(V)Zener Voltage 最小min. | 3.4V \---|--- 平均Typ. | 3.6V 最大max. | 3.8V 误差Tolerance | 5% 最大齐纳阻抗Zz(Ω)Dynamic Impedance | 90Ω/ohm 最大反向漏电流IR(uA)Reverse Current | 5uA 最大耗散功率PdPower dissipation | 350mW/0.35W Description & Applications | • Total power dissipation: max. 250 mW • Voltage regulator diodes • Non-repetitive peak reverse power dissipation: max. 40 W. • General regulation functions. • Low-power voltage regulator diodes 描述与应用 | •总功耗：最大。 250毫瓦 •电压稳压二极管 •非重复性峰值反向功耗：最大。 40瓦特。 •一般调节功能。 •低功耗稳压二极管
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BZX84C3V9 单管二极管 齐纳, 3.9 V, 350 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
NXP（恩智浦）
NXP BZX84-C3V3 单管二极管 齐纳, 3.3 V, 250 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BZX84-C30 单管二极管 齐纳, 30 V, 350 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BZX84C30LT1G. 齐纳二极管, 2引脚, 30V V(Z), 6.7%, SOT-23
NXP（恩智浦）
NXP BZX84-C3V3,215 单管二极管 齐纳, 3.3 V, 250 mW, TO-236AB, 5 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BZX84C3V9LT1G 单管二极管 齐纳, 3.9 V, 225 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BZX84C3V3LT1G 单管二极管 齐纳, 3.3 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BZX84C3V3.. 单管二极管 齐纳, 3.3 V, 350 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BZX84C30 齐纳二极管
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