Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > ON Semiconductor（安森美） > BUV21G Datasheet 文档
BUV21G
来自 AiPCBA

BUV21G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:TO-3
描述:ON SEMICONDUCTOR  BUV21G  单晶体管 双极, NPN, 200 V, 8 MHz, 250 W, 40 A, 10 hFE 新
PDF文件:BUV21G 数据手册 (2 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

BUV21G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数2 Pin
额定电压(DC)200 V
额定电流40.0 A
封装TO-3
极性NPN, N-Channel
击穿电压(集电极-发射极)200V
集电极最大允许电流40A
查看数据手册 >

BUV21G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tray
查看数据手册 >

BUV21G 数据手册

BUV21G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
2 页 / 0.19 MByte
BUV21G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
4 页 / 0.1 MByte

BUV21 数据手册

BUV21 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
SITCHMODE系列NPN硅功率晶体管 SITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor
BUV21 数据手册
Motorola（摩托罗拉）
BUV21G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR  BUV21G  单晶体管 双极, NPN, 200 V, 8 MHz, 250 W, 40 A, 10 hFE 新
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet