| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 1.00 kV |
| 额定电流 | 5.00 A |
| 封装 | TO-220F |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 450V |
| 集电极最大允许电流 | 5A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
| 包装方式 | Bulk |
Fairchild（飞兆/仙童）
高压功率开关应用 High Voltage Power Switching Applications
NXP（恩智浦）
扩散硅功率晶体管 Silicon diffused power transistors
Wing Shing International Group
Fairchild（飞兆/仙童）
高压功率开关应用 High Voltage Power Switching Applications
Fairchild（飞兆/仙童）
NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
Fairchild（飞兆/仙童）
NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ON Semiconductor（安森美）
高电压 NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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