BST60 数据手册 - NXP（恩智浦）

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-EmitterVoltage(VCEO)| -45V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -500mA/-0.5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 200MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 2000 @ -10V,-0.5A 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -1.3V 耗散功率PcPower Dissipation| 1.3W Description & Applications| • High current (max. 0.5 A) • Low voltage (max. 80 V) • Integrated diode and resistor. • Industrial switching applications such as: Print hammer、Solenoid、Relay and lamp driving. •PNPDarlington transistor in a SOT89 plastic package. •NPN complements: BST50. 描述与应用| •高电流（最大0.5 A） •低电压（最大80 V） •集成的二极管和电阻。 •工业开关应用，如：打印锤，电磁阀，继电器和灯驱动。 •PNP达林顿晶体管在SOT89塑料包装。 •NPN补充：BST50。