| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23/SC-59 |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 360 mW |
| 漏源极电压(Vds) | -60.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 170 mA |
| 上升时间 | 9.00 ns |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -0.17A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 5.8Ω @-170mA,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -1--2V 耗散功率PdPower Dissipation| 360mW/0.36W Description & Applications| P-Channel Enhancement mode Logic Level Avalanche rated dv/dt rated 描述与应用| P沟道 增强模式 逻辑电平 额定雪崩 dv / dt的额定
Infineon（英飞凌）
8 页 / 1.89 MByte
Infineon（英飞凌）
8 页 / 0.14 MByte
Infineon（英飞凌）
8 页 / 0.08 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS84 晶体管, MOSFET, P沟道, -130 mA, -50 V, 1.2 ohm, -5 V, -1.7 V
NXP（恩智浦）
P沟道增强型垂直DMOS晶体管 P-channel enhancement mode vertical DMOS transistor
Siemens Semiconductor（西门子）
BSS84 P沟道MOS场效应管 -60V -130mA 1.2ohm SOT-23 marking/标记 SP 小信号开关 高饱和电流
Infineon（英飞凌）
BSS84 P沟道MOS场效应管 -60V -130mA 1.2ohm SOT-23 marking/标记 SP 小信号开关 高饱和电流
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BSS84LT1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 130 mA, -50 V, 10 ohm, 5 V, -2 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSS84PH6327XTSA2 晶体管, MOSFET, P沟道, -170 mA, -60 V, 5.8 ohm, -10 V, -1.5 V
Infineon（英飞凌）
Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
NXP（恩智浦）
NXP BSS84AK 晶体管, MOSFET, P沟道, -180 mA, -50 V, 4.5 ohm, -10 V, -1.6 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
