| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | -50.0 V |
| 额定电流 | -130 mA |
| 封装 | SOT-23 |
| 漏源极电阻 | 10.0 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 225 mW |
| 输入电容 | 30.0 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 50.0 V |
| 漏源击穿电压 | 50.0 V |
| 栅源击穿电压 | -20.0 V to 20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 130 mA |
| 上升时间 | 1.00 ns |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
| 包装方式 | Reel |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -50V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -0.13A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 5Ω @-100mA,-5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.9--2.V 耗散功率PdPower Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| • Energy Efficient • Miniature SOT−23 Surface Mount Package Saves Board Space • Pb−Free Package is Available 描述与应用| •节能 •微型SOT-23表面贴装封装节省电路板空间 •无铅包装是可用
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS84 晶体管, MOSFET, P沟道, -130 mA, -50 V, 1.2 ohm, -5 V, -1.7 V
NXP（恩智浦）
P沟道增强型垂直DMOS晶体管 P-channel enhancement mode vertical DMOS transistor
Siemens Semiconductor（西门子）
BSS84 P沟道MOS场效应管 -60V -130mA 1.2ohm SOT-23 marking/标记 SP 小信号开关 高饱和电流
Infineon（英飞凌）
BSS84 P沟道MOS场效应管 -60V -130mA 1.2ohm SOT-23 marking/标记 SP 小信号开关 高饱和电流
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BSS84LT1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 130 mA, -50 V, 10 ohm, 5 V, -2 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSS84PH6327XTSA2 晶体管, MOSFET, P沟道, -170 mA, -60 V, 5.8 ohm, -10 V, -1.5 V
Infineon（英飞凌）
Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
NXP（恩智浦）
NXP BSS84AK 晶体管, MOSFET, P沟道, -180 mA, -50 V, 4.5 ohm, -10 V, -1.6 V
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