| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -50.0 V |
| 额定电流 | -130 mA |
| 封装 | SOT-23 |
| 漏源极电阻 | 10.0 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 360 mW |
| 输入电容 | 73.0 pF |
| 栅电荷 | 1.30 nC |
| 漏源极电压(Vds) | -50.0 V |
| 漏源击穿电压 | -50.0 V |
| 栅源击穿电压 | -20.0 V to 20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 130 mA |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT) |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -0.13A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 1.2Ω @-100mA,-5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.8--2.V 耗散功率PdPower Dissipation| 360mW/0.36W Description & Applications| Features • −0.13A, −50V. RDS(ON) = 10Ω @ VGS = −5 V • Voltage controlled p-channel small signal switch • High density cell design for low RDS(ON) • High saturation current 描述与应用| •0.13A，-50V。 RDS（ON）=10Ω@ VGS=-5 V •电压控制p沟道小信号开关 •高密度电池设计的低RDS（ON） •高饱和电流
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