最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -50V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -0.33A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 1.4Ω @-330mA,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -1--2V 耗散功率PdPower Dissipation| 360mW/0.36W Description & Applications| Features · P-Channel · Enhancement mode · Avalanche rated · Logic Level · dv/dt rated 描述与应用| ·P沟道 ·增强模式 ·额定雪崩 ·逻辑电平 ·dv / dt的额定
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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NXP（恩智浦）
NXP BSS83 晶体管, MOSFET, 开关, N沟道, 50 mA, 10 V, 45 ohm, 10 V, 2 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSS83P H6327 晶体管, MOSFET, P沟道, -330 mA, -60 V, 1.4 ohm, -10 V, -1.5 V
Infineon（英飞凌）
Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSS83PH6327XTSA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -330 mA, -60 V, 1.4 ohm, -10 V, -1.5 V
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