| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | 100 V |
| 额定电流 | 170 mA |
| 封装 | SOT-23 |
| 漏源极电阻 | 6.00 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 225 mW |
| 输入电容 | 20.0 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| 栅源击穿电压 | -20.0 V to 20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 170 mA |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
19 页 / 0.26 MByte
ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
ON Semiconductor（安森美）
BSS123 N沟道MOSFET 100V 170mA/0.17A SOT-23/SC-59 marking/标记 SA 快速开关/逻辑电平兼容
Infineon（英飞凌）
BSS123 N沟道MOSFET 100V 170mA/0.17A SOT-23/SC-59 marking/标记 SA 快速开关/逻辑电平兼容
NXP（恩智浦）
N 通道 MOSFET，高达 0.9A，NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors
ON Semiconductor（安森美）
N 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
NXP（恩智浦）
NXP BSS123,215 晶体管, MOSFET, N沟道, 150 mA, 100 V, 3.5 ohm, 10 V, 2 V
Infineon（英飞凌）
Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装（无铅） 超低 Rds(on) ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123L 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 2.98 ohm, 10 V, 1.405 V 新
Nexperia USA
Nexperia Si N沟道 MOSFET BSS123,215, 150 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
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