| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | 80.0 V |
| 额定电流 | 1.00 A |
| 封装 | SOT-223 |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 80V |
| 集电极最大允许电流 | 1A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
| 包装方式 | Reel |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 90V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-EmitterVoltage(VCEO)| 80V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 2000 @ 10V,0.5A 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| 1.3V 耗散功率PcPower Dissipation| 800mW/0.8W Description & Applications| • This NPN small signal Darlington transistor is designed for use in switching applications, such as print hammer, relay, solenoid and lamp drivers. • The device is housed in the SOT-223 package, which is designed for medium power surface mount applications，The SOT-223 Package can be soldered using wave or reflow. The formed leads absorb thermal stress during soldering, eliminating the possibility of damage to the die。 • Use BSP52T1 to order the 7 inch/1000 unit reel • Pb−Free Packages are Available • PNP Complement is BSP62T1 • Available in 12 mm Tape and Reel 描述与应用| •这NPN小信号达林顿晶体管被用在开关应用，如打印电锤，继电器，电磁阀和灯驱动器设计。 •该器件采用SOT-223封装，这是专为中等功率表面贴装应用，SOT-223封装，可以使用波或回流焊接。所形成的线索在焊接热应力吸收，消除模具损坏的可能性。 •使用BSP52T1到责令7 inch/1000的单位卷轴 •无铅包可用 •PNP补BSP62T1 •可在12毫米编带和卷轴
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSP52 达林顿双极性晶体管
NXP（恩智浦）
NPN达林顿晶体管 NPN Darlington transistors
Infineon（英飞凌）
NPN硅达林顿晶体管 NPN Silicon Darlington Transistors
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BSP52T1G 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 800 mW, 1 A, 1000 hFE
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BSP52T3G 达林顿晶体管, NPN, 80V, SOT-223
NXP（恩智浦）
NXP BSP52,115 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 1.25 W, 1 A, 2000 hFE
ON Semiconductor（安森美）
中功率NPN硅达林顿晶体管表面贴装 MEDIUM POWER NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR SURFACE MOUNT
Nexperia USA
Nexperia BSP52,115 NPN 达林顿晶体管对, 1 A, Vce=80 V, HFE=1000, 4引脚 SOT-223 (SC-73)封装
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