类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | SOT-223/SC-73/TO261-4 |
极性 | N-Channel |
功耗 | 1.80 W |
漏源极电压(Vds) | 60V |
连续漏极电流(Ids) | 2.60 A |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 2.6A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.09Ω/Ohm @2.6A,4.5V 开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage| 1.2-2V 耗散功率Pd Power Dissipation| 1.8W Description & Applications| SIPMOS ®Small-Signal-Transistor • N-Channel • Enhancement mode • Avalanche rated • Logic Level • dv/dt rated 描述与应用| SIPMOS®小信号晶体管 •N沟道 •增强模式 •额定雪崩 •逻辑电平 •dv / dt的额定
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Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET
Siemens Semiconductor(西门子)
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