Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET
●Infineon
● SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。
●· 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表）
●· 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准
●### MOSFET 晶体管，Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Siemens Semiconductor（西门子）
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSP317PH6327XTSA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -430 mA, -250 V, 3 ohm, -10 V, -1.5 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSP317P L6327 晶体管, MOSFET, P沟道, -430 mA, -250 V, 3 ohm, -10 V, -1.5 V
Infineon（英飞凌）
Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSP317P H6327 晶体管, MOSFET, P沟道, -430 mA, -250 V, 3 ohm, -10 V, -1.5 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSP317PL6327 晶体管, MOSFET, P沟道, 370 mA, -200 V, 3 ohm, -10 V, -1.5 V
Infineon（英飞凌）
250V,4000mΩ,-0.43A,P沟道小信号MOSFET
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