BSP31 数据手册 - NXP（恩智浦）

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -90V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −80V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100~300 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 1.5W Description & Applications| PNP silicon transistor，in a microminiature plastic envelope ，intended for medium power switching and general purpose amplifier application in trick and thin-film circuits 描述与应用| PNP硅晶体管，在一个超小型的塑料外壳，适用于中等功率开关和通用放大器应用在特技和薄膜电路