| 类型 | 描述 |
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| 封装 | SOT-223 |
| 极性 | P-Channel |
| 漏源极电压(Vds) | 300V |
| 连续漏极电流(Ids) | 0.21A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -300V
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●最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V
●最大漏极电流IdDrain Current| -0.21A
●源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 17Ω @-170mA,-10V
●开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -1.7--2.55V
●耗散功率PdPower Dissipation| 1.5W
●Description & Applications| FEATURES • Direct interface to C-MOS, TTL, etc. • High-speed switching • No secondary breakdown.
●描述与应用| •直接连接到C-MOS，TTL等 •高速开关 •无二次击穿
NXP（恩智浦）
12 页 / 0.09 MByte
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