| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | SOT-223 |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 1.50 W |
| 漏源极电压(Vds) | -60.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.45 A |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -1.9A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.21Ω @-1.9A,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -1--2V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.8W Description & Applications| Features • P-Channel • Enhancement mode • Logic level • Avalanche rated • dv /dt rated 描述与应用| •P沟道 •增强模式 •逻辑电平 •额定雪崩 •dv / dt的额定
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Siemens Semiconductor（西门子）
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSP171P 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.45 A, -60 V, 400 mohm, -10 V, 1.5 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSP171P L6327 晶体管, MOSFET, P沟道, -1.9 A, -60 V, 0.21 ohm, -10 V, -1.5 V
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