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BSH114 数据手册 - NXP(恩智浦)
制造商:
NXP(恩智浦)
封装:
TO-236AB
描述:
N沟道增强型网络场效晶体管 N-channel enhancement mode field effect transistor
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
BSH114 数据手册
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BSH114 技术参数、封装参数
类型
描述
封装
TO-236AB
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
100V
连续漏极电流(Ids)
0.85A
BSH114 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
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示例:
STM32F103
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