| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-23/SC-59 |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 60V |
| 连续漏极电流(Ids) | 0.3A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 15V 最大漏极电流Id Drain Current| 300mA/0.3A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 耗散功率Pd Power Dissipation| 830mW/0.83W Description & Applications| TrenchMOS™ technology Very fast switching Logic level compatible Subminiature surface mount package Gate-source ESD protection diodes 描述与应用| 开关速度非常快 逻辑电平兼容 超小型表面贴装封装 门源的ESD保护二极管
NXP（恩智浦）
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