| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 500 mA |
| 封装 | TO-92 |
| 漏源极电阻 | 5.00 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 350 mW |
| 漏源极电压(Vds) | 60.0 V |
| 漏源击穿电压 | 60.0 V |
| 栅源击穿电压 | -20.0 V to 20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 500 mA |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
N 通道功率 MOSFET，60V，ON Semiconductor
●### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor（安森美）
小信号MOSFET 500毫安， 60伏特N沟道TO- 92 （ TO- 226 ） Small Signal MOSFET 500 mA, 60 Volts N−Channel TO−92 (TO−226)
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BS170_D26Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BS170G 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2 V
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BS170_D75Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BS170RLRAG 场效应管, MOSFET, N沟道, 0.350W, TO-92
ON Semiconductor（安森美）
小信号MOSFET 500毫安， 60伏特N沟道TO- 92 （ TO- 226 ） Small Signal MOSFET 500 mA, 60 Volts N−Channel TO−92 (TO−226)
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