| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 500 mA |
| 封装 | TO-92 |
| 漏源极电阻 | 5.00 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 350 mW |
| 输入电容 | 60.0 pF |
| 漏源击穿电压 | 60.0 V |
| 栅源击穿电压 | -20.0 V to 20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 500 mA |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tube |
增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor
●增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。
●### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor
●Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
●Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor（安森美）
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