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BS108ZL1G
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BS108ZL1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-92
描述:小信号N沟道TO-92-3封装场效应管
PDF文件:BS108ZL1G 数据手册 (3 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

BS108ZL1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)200 V
额定电流250 mA
封装TO-92
漏源极电阻8.00 Ω
极性N-Channel
功耗350 mW
漏源极电压(Vds)200 V
漏源击穿电压200 V
栅源击穿电压-20.0 V to 20.0 V
连续漏极电流(Ids)250 mA
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BS108ZL1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Box (TB)
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BS108ZL1G 数据手册

BS108ZL1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
3 页 / 0.08 MByte
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