集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 25V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 15V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 25mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 2.5GHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 20~150 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 400mV/0.4V 耗散功率PcPower Dissipation | 280mW/0.28W Description & Applications | NPN Silicon RF Transistor For broadband amplifiers up to 1 GHz at collector currents from 1 mA to 20 mA 描述与应用 | NPN硅RF晶体管 对于宽带放大器高达1 GHz的集电极电流从1 mA到20 mA
Infineon（英飞凌）
5 页 / 0.04 MByte
NXP（恩智浦）
NXP BFS17 晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 1 GHz, 300 mW, 25 mA, 90 hFE
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
BFS17 NPN三极管 25V 50mA 1GHz 20~150 SOT-23/SC-59/SMT3 marking/标记 GMA 混频器和TV调谐器
NXP（恩智浦）
晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 1 GHz, 300 mW, 25 mA, 90 hFE
Infineon（英飞凌）
INFINEON BFS17PE6327HTSA1 晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 2.5 GHz, 280 mW, 25 mA, 70 hFE
Infineon（英飞凌）
INFINEON BFS 17P E6327 晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 2.5 GHz, 280 mW, 25 mA, 70 hFE
Infineon（英飞凌）
晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 2.5 GHz, 280 mW, 25 mA, 20 hFE
NXP（恩智浦）
NXP### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
Infineon（英飞凌）
BFS17P NPN三极管 25V 25mA 2.5GHz 20~150 400mV/0.4V SOT-23/SC-59 marking/标记 MC 宽带放大器
Infineon（英飞凌）
射频双极晶体管，Infineon### 双极晶体管，Infineon
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
